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单步工艺

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 离子注入


  • 衬底支持：12英寸
  • 离子注入、扩散加工：多种注入元素，硼、磷、砷、H、O等元素，可以精确控制注入深度和注入剂量。
  • 面向国内外高校科研院所以及高新科技企业，提供基于硅的微加工服务。干湿法刻蚀拥有光刻、热氧化炉、离子注入机、CVD、镀膜、刻蚀、晶圆键合、CMP、划片、快速退火等芯片制造流程及工艺。










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