• 提供高质量氧化硅片，PVD、CVD
• 各类晶圆：50mm-300mm
• 可实现薄膜范围：20Å to 25,000Å
• 氧化硅可以用于各种应用，主要应用于介电材料和微机电系统（MEMS）器件
• 同时也提供批量低成本热氧化服务，包括4-12寸
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• 工艺主要包括：
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• 湿法热氧化物

        湿法热氧化物薄膜通常用于需要较厚二氧化硅层的应用。为了防止杂质，这些薄膜通常在石英管中通过加热和纯蒸汽的组合生长。大多数主要制造商使用安装在与炉子分开的石英管中的外部加热器，虽然不常见，但有些系统使用内部火焰来加热晶圆。在氧化过程中，外部加热器的温度升高到800°C以上。这会导致气体自发点燃并产生蓝色火焰，而无需点火源。火焰产生纯蒸汽，因此得名湿法热氧化物。纯蒸汽通过容纳火焰的管道进入炉子中的晶圆。一旦蒸汽进入石英室，它会膨胀并在整个炉子中均匀分布。

        SiO2的生长不是线性的，因为随着氧化层的增长，氧气穿透器件层并与硅基底反应生成SiO2变得更加困难。

• 干法热氧化

        干法热氧化产生的二氧化硅层比湿法氧化薄得多，而且工艺所需时间更长。由于这些限制，干法二氧化硅层的厚度不超过1000Å。

        干法热氧化生长过程与湿法热氧化非常相似。唯一的区别是该过程使用分子氧而不是纯蒸汽来形成器件层。这种方法产生高均匀性、高介电强度和高密度的二氧化硅晶圆。

• 颗粒敏感氧化物

        颗粒敏感氧化物是指在基材上生长热氧化物的过程中，尽量减少生长过程中的颗粒数。为了保护晶圆不受颗粒污染，所有加工操作都在洁净室中进行。起始晶圆也必须具有低颗粒计数，并保持原厂包装，以尽量减少颗粒污染。

        为了生长这种涂层，晶圆在石英炉内进行湿法或干法热氧化。使用干净的石英炉非常重要，以保护晶圆不受周围环境中颗粒的影响。