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衬底晶圆

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 碳化硅


  • 100-200mm SiC,凭借其硬度(SiC是世界第二硬材料)以及在高温和高压电流下的稳定性,该材料被广泛应用于多个行业。


  • 4H-SiC

    6H-SiC

    直径

    50mm (2"), 76mm (3"), 100mm (4"), 150mm (6")

    50mm (2") & 100mm (4")

    类型/掺杂

    N/Nitrogen / intrinsic / HPSI

    N/Nitrogen / intrinsic / HPSI

    电阻率

    0.012 - 0.028 ohm*cm

    >0.00001 ohm*cm

    厚度

    250um - 15,000um (15mm)

    250um - 15,000um (15mm)

    表面处理

    单抛/双抛

    单抛/双抛

    堆叠序列

    ABCB

    ABCACB

    介电常数

    9.6

    9.66

    电子迁移率

    800 cm2/V*S

    400 cm2/V*S

    密度

    3.21 · 103 kg/m3

    3.21 · 103 kg/m3
















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