绝缘硅SOI
- 主要用于CMOS集成电路，有助于降低功耗和热量，同时提高设备的速度性能。绝缘体上硅晶圆由三层材料堆叠而成，包括：优质硅的有源层（器件层）、电绝缘二氧化硅的氧化埋层（BOX）和散装硅支撑晶圆（衬底）。
厚膜SOI
薄膜SOI
特点
器件层≥2um，直径：76mm-200mm
<2um,6寸，8寸
设备层
晶体生长方法
CZ, FZ
CZ, FZ
晶向
<1-0-0>±0.5°, <1-1-0>±0.5°, <1-1-1>±0.5°
<1-0-0>±0.5°
类型/掺杂剂
P/硼，N/磷，本征型
P/Boron
电阻率
0.001~ 1000 ohm-cm
1~1000 ohm-cm
直径
50.8mm ± 0.5mm~ 200mm ± 0.5mm
150mm ± 0.5mm，200mm ± 0.5mm
厚度
1.5μm~200μm
50nm~1μm
正面
抛光
抛光
Na、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Ca
≤5e10
≤5e10
LPD （尺寸 > 0.3µm）
≤20
≤50
边缘碎屑、划痕
无
无
表面粗糙度（nm）
≤0.4nm
≤0.4nm
氧化埋层 - BOX 层（除非另有说明，否则不包括 5mm的边缘）
厚度
0.050μm~ 5μm
0.050μm~ 3μm
手柄基底（除非另有说明，否则边缘除外 5mm）
晶体生长方法
CZ, FZ
CZ, FZ
晶向
<1-0-0>±0.5, <1-1-0>±0.5, <1-1-1>±0.5
<1-0-0>±0.5
类型/掺杂剂
P/硼，N/磷，本征型
P/Boron
电阻率
0.001~ 1000 ohm-cm
1~1000 ohm-cm
背面
蚀刻或抛光，含/不含氧化物
蚀刻或抛光，含/不含氧化物
直径
50.8mm ± 0.5mm~ 200mm ± 0.5mm
150mm ± 0.5mm，200mm ± 0.5mm
晶圆整体特性
TTV （最佳）
≤2μm
≤5μm
翘曲（最佳）
≤30μm
≤60μm
弯曲度（最佳）
≤30μm
≤60μm
厚度
300 ± 2μm~725 ± 25μm
675±25μm，725±25μm
- *腔体型 SOI，空穴绝缘体体上硅（C-SOI）是一种尖端的绝缘体上硅技术，其衬底晶圆包含预蚀刻空穴。
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