氮化硅片
- 提供高质量氮化硅片，LPCVD、PECVD 和 ALD
- 各类晶圆：50mm-300mm
- 氮化硅是一种化学化合物（Si3N4，SiN），具有优异的机械和热稳定性。它通常用作硬掩膜、介电材料或钝化层。氮化硅本质上非常坚硬，具有良好的热冲击抵抗力和抗氧化性。
- 工艺主要包括：
- LPCVD（SiN）：
- 较高温度的工艺可获得更高纯度且非常稳定的薄膜。适用于晶圆的两面。
Stoichiometric LPCVD Nitride
Low Stress LPCVD Nitride
Super Low Stress LPCVD Nitride
Targeted Stress LPCVD Nitride
标准氮化物薄膜、非常多用途的薄膜、优异的绝缘性能、优异的硬掩模、常用于MEMS
硬掩膜、机械结构、悬臂梁、薄膜、MEMS应用
可以沉积得比低应力氮化物更厚、折射率略高、与低应力氮化物相同的温度：
硬掩膜、机械结构、悬臂梁膜、MEMS 应用
可根据您的薄膜应力需求定制薄膜、可非常厚，最高可达2µm、可定制折射率
技术参数：
厚度范围：100Å–7500Å
折射率：2.00± 0.05
薄膜应力：>800MPa 拉伸应力
晶圆尺寸：25mm – 300mm
温度：700°C – 800°C
处理面：双面
技术参数：
厚度范围：50Å – 2µm
厚度公差：±5%
晶圆内均匀性：±5% 或更好
晶圆间均匀性：±5% 或更好
处理面：双面
折射率：2.20 ±0.02
薄膜应力：<250MPa 拉应力
晶圆尺寸：50mm-300mm
温度：820°C
技术参数：
厚度范围：50Å – 2µm
厚度公差：±5%
晶圆内均匀性：±5% 或更好
晶圆间均匀性：±5% 或更好
加工侧面：双面
折射率：2.30
技术参数：
厚度范围：50Å – 2µm
厚度公差：±5%
晶圆片内均匀性：±5%或更好
晶圆间均匀性：±5%或更好
加工面：双面
折射率：2.05 – 2.35
薄膜应力：目标 ±50MPa 拉伸应力
晶圆尺寸：50mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
晶圆厚度：100µm – 2,000µm
晶圆材料：硅, 绝缘体硅上衬硅, 石英
温度：800°C – 820°C
- PECVD（SiN）：
低温替代工艺，仅适用于晶圆的一侧，良好的折射率，低应力并可使用标准工艺
技术参数：
厚度范围：100Å – 2µm
厚度公差：±7%
晶圆内均匀性：±7%或更好
晶圆间均匀性：±7%或更好
处理面：一面
折射率：1.98 ±0.05
薄膜应力：<200MPa（低应力），400MPa（标准）
晶圆尺寸：50mm – 300mm
温度：300°C – 400°C
- ALD（SiN）：
低温替代工艺，仅应用于晶圆一侧。高质量、高一致性薄膜，原子尺度精确。
技术参数：
厚度范围：10Å – 350Å
厚度公差：±5% 或更好
晶圆内均匀性：±5% 或更好
处理面：一面
晶圆尺寸：200mm – 300mm
温度：450°C温度：300°C – 400°C
- PECVD Silicon Oxynitride (SiON)：
更少的氢杂质,改善的稳定性,改善的器件可靠性,出色的抗裂性能,非常适合平整多层互连结构,这些特性意味着硅氧氮化物作为最终钝化层、金属层间介电层和沟槽隔离衬里表现出色。
技术参数：
厚度：100Å – 2μm
折射率：1.5 – 1.9
薄膜应力：250MPa
处理面：单面
温度约：400°C
晶圆直径：50mm – 300mm
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