刻蚀
- 衬底支持：12英寸，最小线宽：50nm
- 刻蚀：ICP、RIE、IBE、深反应等离子刻蚀、二氟化氙刻蚀、氢氟酸干法刻蚀
- 刻蚀材料范围广、最大深宽比：50：1
- 面向国内外高校科研院所以及高新科技企业，提供基于硅的微加工服务。干湿法刻蚀拥有光刻、热氧化炉、离子注入机、CVD、镀膜、刻蚀、晶圆键合、CMP、划片、快速退火等芯片制造流程及工艺。
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